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Discrete Device |
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Power MOSFET
作为全球第一家提供MOSFET代工服务的8英寸晶圆厂，华虹NEC有9年以上的分立器件产品的量产经验。目前是全球最大的MOSFET代工厂，多年的量产经验保证了华虹NEC的MOSFET的高品质和高合格率，同时也培养了一支成熟的技术开发团队。开发了各种先进的MOSFET工艺和技术，积累了大量开发经验，使得技术转移和开发更快，成功率更高，极大地降低了客户的产品上市时间。下一步，华虹NEC将致力于开发高压和低开启电阻的MOSFET工艺,以及IGBT。
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Trench HV MOSFET
基于华虹NEC在过去累积的LV MOSFET的经验，华虹NEC成功开发了沟槽类型的600V MOSFET，并成功进入量产。华虹NEC创造性地将沟槽应用到600V的MOSFET上，与常规的平面型MOSFET相比，可以有效地降低开启电阻10%以上，该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。
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Super Junction
基于华虹NEC在过去累积的MOSFET的经验，华虹NEC成功开发了超级结结构的600-700V MOSFET，并进入生产。华虹NEC的超级结技术采用独特的工艺，可以到达优于业界水平的性能和指标。该技术的产品非常适合用于市电范围的开关电源、AC/DC、适配器/充电器和LED照明等应用。
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IGBT
基于华虹NEC在MOSFET和Super Junction方面累积的丰富的经验，华虹NEC与客户合作成功开发沟槽类型的1200V及以上的IGBT，成为国内第一家提供同类工艺的8英寸厂家。同时，1700V到6500V的IGBT工艺平台的开发也在进行中，瞄准业界高端指标，预计将在2012年到2013年陆续进入量产。该技术的产品非常适合用于新能源汽车、家用电器、微波炉、风电、太阳能逆变器、机车拖动、电网传输等节能减排应用。
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