首页
快速链接
联系我们 English
制造技术
0.13 微米技术
0.18 微米技术
0.25 微米技术
0.35 微米技术
 
 
首页 > 工艺技术 > 0.18 微米技术
0.18微米技术
搜索:

0.18 um 1.8/3.3V 工艺 [CL180G/CM180G]

CL180G工艺是华虹NEC基于客户对于Foundry兼容目的而开发可广泛应用的新工艺。CM180G提供高性能电容、高阻抗poly电阻和低开启电压晶体管等可选工艺可方便混合信号 电路产品的设计。

CL180G工艺现已面向普通客户开放，而且客户可从华虹NEC的多家库合作伙伴中选择自己设计所需的库。

工艺特征
Isolation STI
Well Formation Retrograded well
Gate Formation Co silicide, Dual polarity poly
S/D Formation Co salicide
ILD TEOS-NSG/CMP
Contact Ti/TiN/W-Plug
IMD TEOS-NSG/CMP
Via Ti/TiN/W-Plug
Metal AlCu/Ti/TiN
Passivation SiO2/SiN
 
设计性能
Parameter Unit Value
Vcc V 1.8/3.3
Tox (physical) A 32/70
Vt N/P V 0.42/-0.47
Idsat N/P uA/um 600/-260
Ioff N/P pA/um 20/-20
R.O. Delay pS/Stage 28
     
设计关键指标
Layer W/S
Diffusion 0.22/0.28
Poly 0.18/0.25
Contact 0.22/0.25
Metal 1 0.23/0.23
Via 1-4 0.26/0.26
Metal 2-5 0.28/0.28
Via5 0.36/0.35
Metal 6 0.44/0.46
   
 
0.18 um 1.8V/3.3V 6M 射频工艺 (CA/CR18)

华虹NEC的CA/CR18工艺是可以带来要求较低射频线路方块搭配数百万门数字CMOS逻辑功能以架构系统化单芯片解决方案的先进0.18微米混和信号模拟CMOS技术，可用于无线、多媒体以及计算机产品应用领域。这项工艺标准配备1.8与3.3volt CMOS，横向与垂直PNP晶体管、MIM电容、变容器、多晶与N-well电阻、高Q值电感、5层金属层与厚顶层金属层。
工艺特征
Isolation STI
Well Formation Retrograded well
Gate Formation Co silicide, Dual polarity poly
S/D Formation Co salicide
ILD TEOS-NSG/CMP
Contact Ti/TiN/W-Plug
IMD TEOS-NSG/CMP
Via Ti/TiN/W-Plug
Metal AlCu/Ti/TiN
Passivation SiO2/SiN
 
设计性能
Parameter Unit Value
Vcc V 1.8/3.3
Tox (physical) A 30/66
Vt N/P V 0.52/-0.44
Idsat N/P uA/um 600/-255
Ioff N/P pA/um 50/-50
R.O. Delay pS/Stage 32
     
设计关键指标
Layer W/S
Diffusion 0.22/0.28
Poly 0.18/0.25
Contact 0.22/0.25
Metal 1 0.23/0.23
Via 0.26/0.26(Via1-Via4)
0.36/0.35(top Via)
Metal 2-3 0.28/0.28
Via4 0.28/0.28
Metal 5 0.28/0.28
Metal 6 2.5/2.0
   


  
  160670