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华虹NEC基于0.13微米嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案。
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华虹NEC成功推出nvSOC产品原型平台
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华虹NEC参加2009’海西国际集成电路设计产业高峰论坛暨中国半导体行业协会集成电路设计分会年会。
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华虹NEC积极参与第七届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛。
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华虹NEC在2009中国（无锡）国际半导体及平板显示博览会上展示了公司特色工艺及产品应用。
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华虹NEC宣布，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）400V高压工艺研发成功，进入高压MOSFET代工市场。
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华虹NEC日前宣布成功开发了0.162微米CMOS 图像传感器 (CIS162) 工艺技术，已进入量产阶段。
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华虹NEC宣布，公司基于0.13um NVM工艺平台，针对智能卡应用，成功地开发出了高ESD性能（HBM 4KV）的POC（Pad on Circuit）解决方案。
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