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| 首页 > 关于华虹NEC > 公司简史 |
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公司简史 |
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| 1月 |
华虹NEC推出业界领先的0.13微米嵌入式EEPROM解决方案 |
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| 12月 |
华虹NEC推出高效nvSOC产品原型平台 |
| 10月 |
华虹NEC推出高压400V MOSFET制程 |
| 9月 |
华虹NEC 0.162微米CIS工艺成功进入量产 |
| 9月 |
华虹NEC成功开发出基于0.13um NVM平台的高ESD 性能POC解决方案 |
| 8月 |
华虹NEC 非外延0.35um BCD工艺进入量产 |
| 5月 |
华虹NEC荣获“全国五一劳动奖状” |
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| 9月 |
华虹NEC推出0.5微米CA500C模拟工艺平台 |
| 8月 |
华虹NEC、上海华虹集成电路有限责任公司合作成功开发0.13微米嵌入式闪存产品 |
| 7月 |
华虹NEC成功完成0.13微米嵌入式闪存工艺技术开发 |
| 4月 |
华虹NEC荣获2008年度“上海市五一劳动奖状” |
| 2月 |
华虹NEC ON08模拟电路量产突破一万片 |
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| 11月 |
华虹NEC Fab1通过TS16949汽车行业质量体系认证，Fab2通过ISO9001/27001质量管理体系和信息安全管理体系认证。 |
| 10月 |
华虹NEC获得美国商务部产业和安全局 “经验证最终用户”授权（the Validated End-User，简称VEU）。华虹NEC是中国首批获得VEU授权的五家知名企业之一。
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| 9月 |
华虹NEC二厂通过终端用户可靠性认证，顺利实现量产。 |
| 8月 |
一厂Fab1C土建工事施工结束，土建项目竣工。 |
| 8月 |
华虹NEC自主开发的0.16微米逻辑工艺技术投入生产 |
| 6月 |
0.18微米RFCMOS工艺投入生产 |
| 5月 |
0.5微米40V 高压LCD驱动器件工艺投入生产 |
| 3月 |
二厂设备搬入 |
| 3月 |
0.35微米缩小版14伏高压工艺投入生产 |
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| 8月 |
Fab1C生产线建设项目开工 |
| 8月 |
0.25微米18伏高压工艺投入生产 |
| 4月 |
华虹NEC成功实现月产出8英寸硅片5万3千片 |
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| 11月 |
华虹NEC成功实现月产出8英寸硅片5万片 |
| 10月 |
华虹NEC成功开发0.25um嵌入式闪存记忆体 |
| 8月 |
华虹NEC自主开发的0.18um工艺技术进入量产阶段 |
| 8月 |
0.35微米14伏高压工艺投入生产 |
| 7月 |
0.18微米混合信号工艺投入生产 |
| 6月 |
0.25微米eFlash工艺、0.18微米Logic和高压工艺投入生产 |
| 3月 |
0.35微米OTP工艺投入生产 |
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| 11月 |
二厂厂房及动力设施竣工 |
| 10月 |
0.25微米RF CMOS工艺投入生产 |
| 6月 |
上海贝岭、上海张江集团以建设中的贝岭张江二厂入股华虹NEC |
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| 10月 |
与美国JAZZ公司、华虹国际公司建立新战略合作 |
| 6月 |
0.33微米eFlash工艺投入生产 |
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